Dm3 – La technologie GaN et ses applications.

Daniel CABAN-CHASTAS (Thales DMS)

Le GaN (Nitrure de Gallium) avec l’Intelligence Artificielle, constitue une des technologies de rupture des futurs systèmes électroniques. L’entretien permettra d’aborder les caractéristiques clés et les bénéfices apportés par cette technologie comparée à la technologie AsGa (Arséniure de Gallium) ainsi que les conséquences sur l’intégration dans les produits. Les bénéfices attendus pour les systèmes électromagnétiques (radar, guerre électronique, systèmes multifonctions, autodirecteurs) seront illustrés (lutte contre la furtivité des cibles, récepteurs large bande, …). Le débat sera l’occasion d’échanger sur les facteurs clés d’insertion de cette technologie (maitrise de la supply chain et souveraineté, avantage concurrentiel, impact économique, ..) mais aussi sur les challenges liés à l’intégration (compatibilités, conditionnement, puissance électrique,..).

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23 avril 2024 | 9h00 - 12h00